MRAM存储器教程

磁电阻式随机存取存储器是一种非易失性存储器技术，使用磁性电荷来存储数据而不是电荷。不同的技术，包括DRAM，需要恒定的电流来保持数据的完整性，MRAM存储器技术保留了数据，即使掉电。另外一个优点是，MRAM只需要主动操作的低功率。由于这种内存技术已成为电子行业的主要玩家现在生产工艺已经发展到可以产生。

而MRAM存储器技术已超过十年，直到最近，技术已经能够大量生产。这已使MRAM技术到一个地步，它是商业上可行的。

MRAM的特点

MRAM技术是任何其他半导体技术，是目前使用的完全不同，它提供了许多优点：

• MRAM存储器技术保留其数据在掉电
• 它提供了一个更高的读写速度相比其他技术，包括FLASH和EEPROM
• MRAM的数据没有随着时间的推移
• 消耗较低的功率水平

新型MRAM存储器的发展具有极其重要的意义。一些生产商一直在研究的技术，但飞思卡尔已经开发出的技术足以使其可以大量制造第一家。记住这一点，他们已经开始建立4兆位的记忆形式首次发行股票，具有较大的回忆追随。

新的MRAM存储技术是一个令人兴奋的新发展。分析人士说，这是十年来最重要的记忆发展。另外一个制造商进入市场，其他人可能会跟随。它是否意味着记忆的结束，如闪存仍然是可以看到的，但它肯定是一个巨大的非易失性存储器市场的主要竞争者，挑战的主导地位举行的闪存。只有时间会告诉市场将如何变化，但新的记忆肯定会成为一个主要的竞争者，特别是当这个过程的成熟和更大的记忆成为可用。

MRAM运作

新的半导体存储器的操作是基于一个结构被称为一个磁隧道结（MJT）。这些器件包括由薄绝缘层隔开的2个铁磁性层的三明治。电流可以流穿过夹层，并产生从隧道作用和它的大小是依赖于磁性层的磁矩。该存储单元的层可以是相同的当他们说是平行的，或在相反的方向时，他们都说是平行的。它被发现，电流是高的，当磁场彼此对齐。以这种方式，它是可以检测的状态的字段。

磁隧道结（MTJ）的MRAM包括两个铁磁三明治（FM）由薄绝缘层作为隧道势垒层分离。这些结构中的感应电流通常流平行的结构层，电流通过垂直的MTJ夹心层。的MTJ三明治的电阻取决于两个铁磁性层的磁性方向。通常，在MTJ电阻最低的时候，这些时刻是彼此平行对齐，和最高的时候是平行的。

要将该内存单元的状态设置为写入电流，则通过该结构。这是足够高，改变磁性的薄层的方向，但不厚的。一个较小的非破坏性的检测电流，然后用于检测存储在存储单元中的数据。

建设

一个与MRAM存储技术的主要问题已经发展了一个合适的建筑，会让回忆来制造令人满意。一个宽范围的结构和材料已被调查，以获得最佳的结构。

一些早期的MRAM存储技术发展结构制作的路口控制采用放置多达8个不同的金属荫罩。面具被依次放置在高达二十的1英寸直径的晶片与约±位置精度的任何一个；40 &micro；m，通过使用不同的面具，10至74路口的尺寸约为80×80微米之间；我可以根据每个晶片。

在室温下沉积的薄铝层的原位等离子体氧化形成的隧道势垒。使用这种技术，在电阻的变化，由于磁阻效应大的水平。调查的铁磁性金属，包括电极的依赖关系。

这是预期的幅度，很大程度上是依赖于隧道势垒和磁性电极之间的界面。然而，它被发现，某些非铁磁性金属的厚层可以插入之间的隧道势垒和磁性电极没有淬火的磁共振效应。然而，它被发现，经不完全氧化的铝层。

总结

现在第一个商用MRAM的记忆已经上市的飞思卡尔。这代表了不仅在一般的半导体存储技术的重要一步，而且在MRAM存储器技术。它开辟了道路，为许多更多的制造商跟随他们的口味的新的半导体存储技术