动态RAM,DRAM内存技术教程

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动态内存,或内存是一种随机存取存储器,RAM。它被广泛使用在个人电脑和其他处理器为基础的系统作为工作记忆的基本形式。

虽然各种半导体存储器,可用其他不同类型,动态存储器DRAM被广泛应用于各种微处理器和计算机设备。

多年来,DRAM是最广泛使用的内存技术是广泛使用的今天。

DRAM技术是什么?

如名字或DRAM,动态随机存取存储器,所暗示的,这种形式的存储技术是一种新型的随机存取存储器。它存储在存储单元内的一个小电容上的每个比特的数据。电容器可以被充电或放电,这提供了个状态,“1”或“0”的细胞。

由于电容器内的电荷泄漏,定期刷新每个存储单元。这个刷新需求会引起动态静态存储器的增加,而不需要进行刷新。

一个DRAM的优点是细胞的简单-只需要一个单一的晶体管相比,约六在一个典型的静态RAM,SRAM存储单元。其简单n认为,DRAM的成本比SRAM的低得多,他们能够提供更高水平的存储密度。然而,DRAM有缺点,作为一个结果,大多数计算机使用的DRAM和SRAM技术,但在不同的地区。

事实上,权力是DRAM保持其所需的数据视图,它是被称为易失性存储器。存储技术,如闪存是非易失性和保留的数据,即使当电源被删除。

DRAM技术的历史

动态随机存储器是一种存储技术,出现了第一个微处理器的发展和伴随的集成电路发展。

在20世纪60年代中期,集成电路开始出现在一些先进的电子产品-以前为计算机的记忆,一种形式的磁记忆。这些记忆,用一个小的铁氧体磁环,每个存储器元件。当然,这个“核心”的记忆是非常昂贵的,和集成的版本更具吸引力的长期。

对于DRAM技术的想法出现在集成电路半导体的时间比较早。早期的形式是在一个东芝的计算器,在1966的分立元件构成,然后两年后的DRAM的想法是我们今天所知道的专利。

动态RAM,DRAM内存技术教程

DRAM技术发展的下一个阶段是在1969的时候,霍尼韦尔曾在一个大的方式进入电脑市场要求英特尔采用一三管细胞知道他们已经开发了制造DRAM。

由此产生的IC被指定为英特尔1102,它出现在1970年初。然而,这个装置有一些和这套英特尔开发更可靠地运行一个DRAM新技术问题。由此产生的新设备出现在1970年底,被称为英特尔1103。

移动DRAM技术进一步向前,当1973,而mk4096 Mostek。如该零件号表示,该设备有4的容量。然而,它的主要优点是它包含了一个多路复用行和列地址线的方法。这种新的方法使这些记忆,以适应包与较少的引脚。由此产生的成本优势增长时相比,与以前的方法,每增加内存大小。这使Mostek DRAM技术获得超过75%的世界市场份额。

最终输给了日本Mostek DRAM技术的制造商们能在一个较低的成本生产高质量的设备。

DRAM的优点和缺点

与任何技术一样,使用它有各种各样的优点和缺点。平衡使用DRAM和另一种形式的技术确保最佳格式选择的优点和缺点。

优势 缺点
非常密集的低成本每一位简单的存储单元结构 复杂的制造工艺数据需要刷新更复杂的外部电路,所需的(读和刷新周期)的波动相对缓慢的运算速度

动态RAM,DRAM应用&使用

动态内存已经有很多年了,是最早用于家庭和个人电脑的。在过去的20年里,内部处理器的速度已经上升了约40的一个因素,但在这个时候,动态内存技术的速度已经勉强上升,他们已经看到了一个因素增加了最。

处理器和内存之间的不匹配是更明显的动态RAM,DRAM比静态RAM,SRAM。这是因为动态内存优化的低泄漏,而不是速度。但是动态随机存储器的成本要低得多。一个动态随机存取记忆体的成本是一个第八,静态内存,每比特,虽然这些比较随时间变化,只能作为一个粗略的指南。

由于SRAM用于速度是必需的,而动态RAM,DRAM是用在大数据量的高效的存储需要。

DRAM内存是当今电子技术和计算机技术的电子元件的一个特别重要的场景。DRAM内存允许快速和密集的记忆可以证明使用多处理器和计算机的应用是合适的。最近,其他形式的DRAM、SDRAM有显著改进的基本技术,使更高水平的速度和密度是随着现代计算技术的要求的实现。由于这些新的半导体存储器的形式正越来越广泛的应用,传统的DRAM芯片。然而DRAM内存芯片仍被大量生产和使用在许多新的应用。

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