半导体存储技术和类型

半导体存储技术是当今电子技术的一个重要元素。通常是基于半导体技术，在任何设备中使用一个处理器的一种形式或另一种存储器。

事实上，随着处理器越来越流行，微处理器控制的项目的数量也在增加，因此对半导体存储器的要求也越来越多了。一个额外的驱动程序是一个事实，即与处理器和计算机相关联的软件变得更加复杂和更大，这也大大增加了对半导体存储器的要求。针对内存的压力，新的和改进的半导体存储技术正在研究和开发可以非常迅速。然而，更成熟的半导体存储技术仍在广泛使用，并将保持这么多年来。

除此之外，新的应用，如数码相机、PDA和更多的应用程序引起的需要回忆。因此它并不少见，8千兆字节的存储器和更多所需的各种应用。

的半导体存储器技术的例子，用在电脑上

随着半导体存储器的需求的快速增长，已经出现了一些技术和类型的内存已经出现。名字如ROM、RAM、EPROM、EEPROM、闪存、DRAM、SRAM、SDRAM、和非常新的MRAM现在可以在电子文献。每个人都有自己的优势和地区，在它可以使用。

半导体存储器的类型

电子半导体存储技术可以分为2个主要类型或类别，根据内存操作的方式：

• 随机存取记忆体：作为名称的建议，随机存取记忆体是一种半导体记忆体技术，用于阅读和书写数据，在任何命令所需的形式。它是用来作为计算机或处理器的内存中的变量和其他存储，并在一个随机的基础上使用。数据存储和读取多次到和从这种类型的内存。
• 只读存储器：只读存储器是一种半导体存储器技术，用于数据的写入，然后不改变。鉴于此，它使用的数据需要被永久地存储，即使当电源被删除-许多内存技术丢失的数据，一旦电源被删除。

  作为一个结果，这种类型的半导体存储技术被广泛用于存储程序和数据，必须在计算机或处理器断电。例如一个计算机的BIOS将存储在ROM中。顾名思义，数据无法写入ROM，取决于使用的ROM技术，将数据写进ROM最初可能需要特殊的硬件。虽然它经常可以改变数据，这种增益需要特殊的硬件来擦除数据准备新的数据被写入。

这两种类型的半导体技术被广泛使用。每种类型被用于在不同的领域和应用程序在微处理器为基础的电子系统。

半导体存储技术

有大量的各种类型的只读存储器和可供使用的内存。这些产生的各种应用程序和可用的技术的数量。这意味着有记忆从Flash MRAM大量缩写或首字母缩写词和类别，PROM EEPROM，以及更多：

• 胎膜早破：这是一种可编程只读存储器。它是一种半导体存储器，它只能有一次写入数据，它是永久性的。这些记忆是用一种空白的格式来买的，他们用一种特殊的胎膜早破程序编程。一个典型的舞会将由fuseable链接的其中一些数组是“吹”编程过程中提供所需的数据模式。
• EPROM：&nbsp；&nbsp；这是一个可擦除可编程只读存储器。这种形式的半导体存储器可以被编程，然后在稍后擦除。这通常是通过将硅暴露在紫外光下实现的。为了使这种情况发生有一个圆形窗口的EPROM的封装使光线到达芯片的硅。在使用时，该窗口通常被一个标签覆盖，尤其是当数据可能需要保留较长时间的时候。

  PROM存储数据在电容器上的充电。每一个电池都有一个电荷储存电容，这可以被要求重复读取。然而，它被发现，经过多年的充电可能会泄漏和数据可能会丢失。尽管如此，这种半导体存储器用于在应用中需要广泛使用的只读存储器形式，但在开发环境中，如在开发环境中，所需要的数据必须定期改变，或数量是低的。

• EEPROM：&nbsp；&nbsp；这是电可擦除可编程只读存储器。数据可以被写入到它，它可以被擦除使用的电压。这通常适用于芯片上的擦除引脚。像其他类型的PROM、EEPROM保持记忆的内容即使关闭电源。也像其他类型的ROM，EEPROM不是RAM快。阅读更多关于EEPROM
• 闪存：&nbsp；&nbsp；Flash存储器可以被认为是一个发展的EEPROM技术。数据可以被写入到它，并且它可以被擦除，虽然只有在块，但数据可以读取单个细胞的基础上。要擦除和重新编程领域的芯片，可编程电压的水平，可在电子设备使用。它也非易失性，这使得它特别有用。因此快闪记忆体被广泛应用于包括数码相机、手机、电脑记忆棒和许多其他应用程序的记忆卡。阅读更多关于闪存
• DRAM：&nbsp；&nbsp；动态RAM是一种随机存取存储器。DRAM使用电容器来存储每个数据点，和收费水平，在每个电容器决定是否位逻辑1或0。然而，这些电容器不能无限期地保持它们的充电，因此数据需要定期更新。由于这种动态刷新，它的名称是一个动态的内存。DRAM是半导体存储器的形式，通常用于设备包括个人计算机和工作站，在那里形成的主内存的计算机。阅读更多关于DRAM
• SRAM：&nbsp；&nbsp；静态随机存取存储器。这种形式的半导体存储器得名于这样一个事实，不像DRAM的数据不需要刷新动态。它能够支持更快的读写次数比DRAM（通常为10 ns和60 ns的DRAM），另外其周期时间更短，因为它不需要停顿之间的访问。但是它会消耗更多的功率，比DRAM不密集的和更昂贵的。作为一个结果，这是通常用于缓存，而DRAM作为主存储器技术。阅读更多关于SRAM
• SDRAM：&nbsp；&nbsp；同步DRAM。这种形式的半导体存储器可以运行在比传统的DRAM的速度更快。它是同步的处理器时钟，能够保持两套内存地址同时打开。通过将数据交替从一组地址，然后其他，SDRAM的减少与非同步RAM相关的延迟，必须开启下一步之前关闭一个地址行。阅读更多关于SDRAM
• MRAM：&nbsp；&nbsp；这是磁阻RAM，或磁性随机存取存储器。它是一种非易失性存储器技术，它使用磁性电荷来存储数据而不是电荷。不同的技术，包括DRAM，需要恒定的电流来保持数据的完整性，又保留数据即使电源被移除。另一个优点是，它只需要低功耗的积极运作。作为一个结果，这项技术可能成为电子行业的主要参与者，现在已经开发了生产过程，使其能够生产。阅读更多关于MRAM
• P-RAM / PCM：&nbsp；&nbsp；这种类型的半导体存储器称为随机存取存储器，P-RAM还是相变存储器PCM。它是基于一个现象，一种硫系玻璃的变化是一种无定形状态之间的状态或阶段（高抗）和多晶状态（低电阻）。这是可能的，以检测一个单独的细胞的状态，因此使用此用于数据存储。目前这种类型的记忆还没有被广泛的商业化，但它预计将闪存的竞争对手。阅读更多关于P-RAM / PCM
• F-RAM：&nbsp；&nbsp；铁电RAM是随机存取存储器技术，具有标准的DRAM技术有许多相似之处。的主要区别是，它采用了铁电层，而不是更通常的介电层，这提供了它的非易失性能力。因为它提供了一种非易失性能力，F-RAM是直接竞争对手的闪光。阅读更多关于F-RAM

总结

半导体存储技术正在飞速的向前发展。不仅是记忆的增加的大小和数据密度的提高，但新的半导体存储器如MRAM的形式被介绍。随着越来越大，更快，更低的功率存储器的要求不断增加，这方面的技术将仍然是在电子行业中最有活力的。