VMOS 场效应晶体管

VMOS 场效应晶体管或 Fet 是一种形式的功率 MOSFET 和这些电子组件用于各种应用程序需要有中等的权力。VMOS 场效应管获得它的名字来自它是”垂直金属氧化硅”的事实。从这可以想象 VMOS 场效应管有很多相似之处 MOS 技术，但是，结构安排与名称 VMOS 也添加另一个维度的 V 型槽。

VMOS 场效应晶体管首次推出时他们外执行双极性半导体技术在许多方面更便宜和更容易使放大器的设计。因为他们的介绍 VMOS 场效应晶体管逐渐作为有用功率 MOSFET 电子组件，可用于各种功率 MOS 应用程序从权力稳固供应切换应用程序通过向中等功率射频放大器。他们也纳入许多集成电路是他们能够非常快速地转换。

VMOS 场效应晶体管是能够克服的许多问题阻碍 Fet 功率应用中使用。他们的新构架启用更高的权力来处理比以前可能与双极晶体管的等效体积和成本。

这很大的改进的原因在于该设备的结构。要显示 VMOS 场效应管的优势传统的 MOS 器件。在这里可以看到漏、 源被隔开的门。水平之间存在电流源和漏，受在门上的潜力。随着电流只流过面积相对较小，电阻值可以高降低了设备的效率。

VMOS 场效应晶体管使用一个不同的结构。关于新设备最突出的一点是 V 槽的结构是关键设备的操作。可以看到的是源是顶部的设备，并且流失是在底部。而不是在标准的 FET 横向流动，在此设备中的电流流动垂直给设备及其名称-垂直金属氧化硅，VMOS。

VMOS 场效应管结构

设备使用两个连接的源，因此有更大的区域当前可以流过。这减少了对电阻的设备，这样就可以处理更高权力比常规 Fet。

门由包含电容面积超过 V 槽和 P 区的电流，此参数控制。门以这种方式制作它意味着设备保留的极高的输入的电阻，典型的 MOS 系列设备。

VMOS 场效应管的主要缺点是结构比传统的 FET 复杂得多，这使得稍贵。