场效应晶体管是什么 ︰ 场效应晶体管类型

场效应晶体管、 场效应管已经成为电子行业内非常广泛的设备。

虽然它后来比双极晶体管进入主流电子场景，它有很多用途和整体是任何其他活动的设备更为广泛的应用。

许多不同类型的 FET 习惯从离散的小信号设备，通过电力电子技术。但是它是供其使用集成电路内的场效应晶体管又获得了一个真的占主导地位的地方。它是能够使用较低的电流，因此它已启用远远更高程度的一体化，以实现比本来有可能以任何其他方式。

FET 历史

FET 的想法已经认识很多年。它拥有一些其最早的基金会建议中 Lilienfield 在 1926 年，和另一篇论文的遗产继承人于 1935 年。

然后在 1940 年代的贝尔实验室成立了一个半导体研究小组。他们调查了许多有关半导体领域和半导体技术，其中之一便是将调制半导体通道流过的电流的设备买放置电场接近它。

在这些早期的实验中，研究者们无法做思想工作，把自己的想法，另一个想法和最终发明的半导体电子组件的另一种形式 ︰ 双极晶体管。

在此之后很多半导体研究重点放在提高双极晶体管，和场效应晶体管的想法不充分研究了一会儿。现在 Fet 是非常广泛的使用，提供中许多集成电路主要活跃的元素。没有他们电子技术将是非常不同的是现在。

场效应晶体管是什么？

FET 围绕着附近的对象上的电荷可以吸引半导体通道内的收费的概念。

FET 由两端称为漏、 源电极的半导体通道组成。

称为门控制电极放置在非常靠近通道，以便其电荷是能够影响通道

这种方式，场效应晶体管的栅极控制流动的载体 （电子或空穴） 从源头到漏极流。它是通过控制的大小和形状的导电沟道。

当前流发生的半导体通道可能 P 型或 N 型。这引起两个类型或类别的 FET 称为 P 沟道和 N 沟道型场效应晶体管。

结场效应管电路符号

电场来控制当前应用于一门被称为第三电极。

因为它是只电场控制电流流动的通道，设备据说是电压操作，它具有输入的阻抗高、 通常很多兆欧。这可以是一个独特优势是当前双极晶体管操作和低得多有输入阻抗。

大门上的外部字段可能有助于耗尽运营商的渠道，在这种情况下 FET 被称为耗尽型场效应晶体管，或它可能有助于提高通道的载体，当它被称为增强型场效应晶体管。

结场效应晶体管的工作时间低于饱和

场效应管电路

场效应晶体管广泛应用于所有形式的电路从那些用于离散元件，对那些从事集成电路的电路中。

场效应晶体管类型

有许多方法来定义不同类型的 FET 可用。他们可能会被归类在通过各种方式，但一些主要类型的 FET 可以覆盖树图所示。

场效应管类型的树状图

有许多不同类型的 FET 对市场有不同的名称。一些主要类别下面延迟。

• 交界处、 场效应管 JFET ︰ 顾名思义，这种形式的场效应晶体管使用反向偏置的二极管交界处提供从通道隔离。它是场效应晶体管，最基本的类型和最初的那个。但是它仍然提供优良的服务，在许多领域的电子产品。阅读更多关于结场效应晶体管
• 绝缘栅场效应管 / 金属氧化硅场效应晶体管 MOSFET ︰ 此类型的场效应晶体管使用绝缘后之间的门和通道。通常，这是从半导体氧化层形成的。最常见的示意图。MOSFET-金属氧化物半导体场效应晶体管。这里大门是由一层金属硅氧化硅通道上反过来是放下。阅读更多关于 MOSFET
• 双栅 MOSFET ︰ 这种专门的沿通道系列中有两个门的 MOSFET。这使一些可观的性能作出改善，特别是在射频，与单闸设备相比。阅读更多关于双栅场效应管
• MESFET ︰ 金属硅 FET 通常用砷化镓制作和经常被称为砷化镓场效应管。它提供了非常高的性能，但鉴于门结构，它是非常敏感的公共服务电子化。 更多关于 MESFET / GaAsFET
• HEMT / PHEMT: 高电子迁移率晶体管和赝高电子迁移率晶体管是基本的 FET 概念，但发达，使非常高频率运作的事态发展。 更多关于 HEMT / PHEMT
• FinFET: FinFET 技术是现在被用于集成电路内启用更高水平的集成，以实现通过允许小特征尺寸。 阅读更多关于 FinFET
• 垂直 MOS 的 VMOS: VMOS 标准。它是一种使用垂直电流的流动，以提高开关和当前承载性能的场效应晶体管。VMOS 场效应管广泛应用于功率应用。阅读更多关于 VMOS

此列表包括许多主要的 FET 类型。除了这些还有很多专有名称的使用的 Fet。