理解场效应管规范

有多种规格定义的参数场效应管。

此数据可供在 FET 数据表，但这些规范不总是定义的或如果他们定义了，他们不总是解释可以理解的方式。

正如预料的有很多不同规格定义的设备性能的 FET 数据表中。这些范围从执政可以实现，到定义的最大电压水平，最大电流、 输入的电阻、 电容以及更多方面的进一步数据定义的通道，抵抗其他参数放大的因素。

所有规格和参数都是重要的不同的应用程序。此外取决于该设备，FET 数据表可以引用不同的参数与该设备的目的，特别是有关的。

场效应管主要规格

一些主要的 FET 规格，用于在数据表中定义如下。一些参数是为不同类型的 FET 特别重要，例如 JFET 而其他人可能更适用于 MOSFET，等等。

• 栅源电压 VGS: FET 参数 VGS 是门和源终端之间是可以容忍的最大电压的评级。资料表中包括此参数的目的是为了防止损坏的栅氧化层。实际的栅氧化层承受电压是通常要比这高得多，但它在变化是由于制造过程中存在的公差。它是最好维持在这个评级，维持设备的可靠性。往往许多设计规则指示设备应该只能到 60 或 70%这一评价。
• 漏源极电压、 容积 ︰ 这是可以应用而不会导致雪崩击穿的最大漏源极电压等级。参数通常被指出门在哪里短路到源的情况，温度 25 ° c。取决于温度，雪崩击穿电压实际上可以减少比容积评级。

  设计电路，时，总是最好要经历的最大电压和容积规范之间留有偏差很大。通常，它们可能会运行在 50%左右容积以确保可靠性。

• 阈值电压 VGS(TH) ︰ 阈值电压 VGS(TH) 是可以形成导电通道的源极和漏极之间的最小门电压。它通常被引用给定的源漏极电流。
• 门的反向漏电流，危地马拉社会保障协会 ︰
• 栅源截止电压，VGS(off) ︰ 门源截止电压真的是关断的规范。它定义的阈值电压给定的剩余电流，因此设备基本上是关闭但濒临的拐弯处。阈值电压的负温度系数，即它随温度增加而减少。这个温度系数也会影响开通与关断延迟时间，对一些电路的影响。
• 消耗电流零栅电压，智能决策支持系统 ︰ 这场效应管参数是最大的连续电流，该设备可以随身携带设备完全上。通常它被指定为一个特定的温度，通常 25 ° c。

  这场效应管规范基于结到外壳热阻评分 RθJC (交界处 / 通道温度) 和机箱温度。

  这场效应管参数是采用功率 Mosfet 特别感兴趣并确定最大电流参数无切换时损失入账。此外持有在 25 ° C 的情况下不可行的在实践中。作为实际切换当前应局限于少在 TC Idss 的一半结果 = 25 ° C 评级硬切换应用程序中。常用值 ofa 三到四分之一。

• 向前跨导，政府飞行服务队 ︰
• 输入的电容，连续供墨系统 ︰ FET 输入的电容参数是之间的门和源端子短路到交流信号源的流失与测量的电容。换句话说，这实际上是门和通道之间的电容。连续供墨系统是组成的栅漏电容 Cgd 栅源电容 Cgs 并行。这可以表示为 ︰

  连续供墨系统 = Cgs + Cgd

• 漏源极电阻，导通电阻 ︰ 用 FET 转硬上，这是在展出过海峡漏源间的欧姆电阻。它是在开关从逻辑在电力开关以及在射频开关，包括应用程序在混合器的应用尤为重要。
• 功耗，提取 ︰ 这场效应管的规格是该设备可以消散的最大连续功率。它通常是指定在自由常设在空气中，或与基地举行在给定温度下，通常 25 ° c。实际的情况，是否举行中的散热片，或在自由的空气将取决于设备类型和制造商。