雪崩光电二极管

还有各种类型的光电二极管可用。P-n 和 p-i-n 光电二极管是最广泛使用的但雪崩光电二极管也可用。

雪崩光电二极管有优势在某些应用程序，虽然它们的使用可能更多的专业。

雪崩光电二极管基础知识

雪崩光电二极管具有类似 PIN 或 PN 二极管的结构特征。一个相似的肖特基二极管也可用，但这是不常见的结构。然而结构是为雪崩操作优化。

雪崩光电二极管的主要区别在更标准的光电二极管的略有不同的场景下运作。它操作启用的空穴和电子由初始电子一空穴由光子雪崩倍增高反向偏置条件下光的影响。

雪崩行动使增益的二极管，增加了许多倍，提供更多的敏感性。

雪崩光电二极管优点和缺点

雪崩光电二极管具有不同的特点，为正常的 p — n 或 p-i-n 二极管，使它们更适合使用在某些应用程序的数目。有见及此值得总结其优点和缺点。

雪崩光电二极管的主要优点包括 ︰

• 更大程度的敏感性

雪崩光电二极管的缺点包括 ︰

• 可能需要更高工作电压。
• 雪崩光电二极管产生的噪声比 p n 光电二极管更高的水平
• 雪崩过程意味着输出不是线性的

电路条件

雪崩光电二极管需要高反向偏置，它们的运作。硅，二极管通常需要之间 100 和 200 伏特的电压，并带有此电压他们将提供大约 100 引起雪崩效应电流增益效应。利用专门的制造过程一些二极管使 1500 伏用于多高偏置电压。正如它发现应用更高的电压时，也将增加增益水平，这些雪崩二极管的增益可以上升 1000年的顺序。这可以提供灵敏度在这里最重要的是一个明显的优势。

雪崩光电二极管不被广泛地用作 p-i-n 的同行。它们用于主要在哪里增益的水平是非常重要，因为所需的高电压，结合低可靠性意味着它们通常是不方便使用。