双极型晶体管 BJT 教程
- 晶体管基础知识
- 晶体管结构
- 晶体管的工作原理
- 晶体管编号代码
- 晶体管数据表参数
双极型晶体管，晶体管，是很多当今半导体电子行业的基石。
这种形式的晶体管已经存在了许多年，仍然非常广泛应用于电子线路。
双极晶体管是非常多才多艺并给出应用在很多应用程序和频率范围广。
在 PCB 上的现代表面贴装晶体管
双极晶体管电路符号
晶体管的电路符号是看到很多的电路中。
电路符号显示的三个连接到晶体管，即 ︰ 基地，集热器和辐射源。
基地是连接，连接到该中心在符号内的主要元素。发射器是进入角线和它有一个箭头。外来的面临箭头表示一个 PNP 晶体管，而对外的一个表示 PNP 晶体管。收集器是第三个电极，它指定的在没有箭头上角线。
双极晶体管，双极性晶体管电路符号
BJT 的起点……
当三位科学家名叫巴丁、 布和肖克利在贝尔实验室在美国工作的双极晶体管日期追溯到二十世纪中叶发现它。他们一直在研究半导体场效应器件，一个想法，但他们一直无法使它工作。他们没有成功地实现这种想法工作和因此他们决定继续研究其他行中这样做，他们开发了双极晶体管。他们成功地使它工作在 1947 年末期和他们最初的发现，他们证明了它在一群高管钟后才一星期。
晶体管历史形成一个有趣的故事。双极晶体管首次发现于 1949 年，，虽然当时主要研究者，巴丁、 布和肖克利就想要拍摄场效应器件，但已不成功，随后导致双极晶体管的发展的另一线。
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今天半导体行业是巨大和大量的金钱投资在半导体设备的新发展。虽然有很多新类型，双极型晶体管仍是晶体管的非常普遍的使用。
半导体基础知识
双极晶体管是一种半导体器件，因此它基于半导体技术的基础。
半导体形成当今电子工业的基础。一切从简单的离散二极管和晶体管通过向所有中继在半导体的最先进的微处理器。技术依赖于一组称为给 p 型变种电荷载流子在哪里孔和 n 型半导体电子电荷载流子在哪里可以掺杂的半导体的材料。
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双极晶体管，虽然比集成电路利用相同的基本技术，在许多方面的要简单的多。他们可以从各种硅是目前为止最受欢迎的材料制造。锗已用过，镓砷化物用于一些高频设备。
晶体管电路设计
双极晶体管用于许多电路中，为他们提供优良的许多电路的业绩水平。在许多范围从直流到微波频率的许多应用程序可以设计电路。
双极晶体管，极性可以用于整个各种电路。有三个主要的基本电路 ︰ 共同收集器、 共同发射极和常见的大门。这些形成晶体管电路的基础。
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晶体管是当前的操作的设备。它是控制量的收集器电路电流时基电路电流的量。其他主要三端半导体器件，场效应晶体管是电压操作设备。在这里它是控制源和漏极之间的电流通过门上的潜力。
BJT 关键功能摘要
下表总结了一些双极型晶体管的主要特点。
| Junction Transistor Key Features | |
|---|---|
| Feature | Details |
| 设备类型 | 电流放大器 |
| PN 结的数目 | 两个-每个晶体管有两个背靠背的 PN 结。 |
| 电极 | 第三 ︰ 收集器、 发射器和基地 |
| 极性 | NPN 和 PNP 品种可用，以便从 rails 的极性、 等操作。 |
| 增益 | 转发由 β.数字类型和实际设备之间会发生变化，但通常可能 20 和 1000年之间的字符表示的电流增益。 |
在许多电路设计领域，特别是在采用分立元件的电路内使用双极晶体管。虽然场效应技术常用的集成电路内由于可以达到低功率耗散级，双极工艺用在当它是更适合于应用程序的场合。